三星电子:DRAM 恢复不及 NAND 闪存,开工率仅 80%-90%

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快讯摘要

通用 DRAM 恢复趋势不及 NAND 闪存,三星、SK 海力士通用 DRAM 厂开工率未达“全面启动”水平,NAND 闪存需求恢复,相关工厂已全面启动。

快讯正文

【通用 DRAM 恢复趋势不及 NAND 闪存,三星、SK 海力士相关工厂开工率未达“全面启动”水平】据调查,通用 DRAM 的恢复趋势不如 NAND 闪存。目前,三星电子和 SK 海力士的通用 DRAM 厂开工率为 80%-90%,较年初小幅增加,但仍未达到“全面启动”水平。供应仍比需求占优势,主要原因是智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓,未能带动需求。而 NAND 闪存方面,随着 AI 带动 eSSD 等需求恢复,三星、SK 海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制,铠侠近期开工率也达到了 100%。

 

三星电子:DRAM 恢复不及 NAND 闪存,开工率仅 80%-90%
(图片来源网络,侵删)

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